พารามิเตอร์ทางเทคนิคหลัก
| รายการ | ลักษณะเฉพาะ | |||||||||
| ช่วงอุณหภูมิการทำงาน | -25~ + 130℃ | |||||||||
| ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด | 200-500โวลต์ | |||||||||
| ความคลาดเคลื่อนของความจุ | ±20% (25±2℃ 120เฮิรตซ์) | |||||||||
| กระแสไฟรั่ว (uA) | 200-450WV|≤0.02CV+10(uA) C: ความจุที่กำหนด (uF) V: แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด (V) อ่านค่าได้ 2 นาที | |||||||||
| ค่าแทนเจนต์การสูญเสีย (25±2℃ 120Hz) | แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด (V) | 200 | 250 | 350 | 400 | 450 | ||||
| ทีจี ดี | 0.15 | 0.15 | 0.1 | 0.2 | 0.2 | |||||
| สำหรับความจุที่กำหนดเกิน 1000uF ค่าแทนเจนต์การสูญเสียจะเพิ่มขึ้น 0.02 ทุกๆ การเพิ่มขึ้น 1000uF | ||||||||||
| ลักษณะอุณหภูมิ (120Hz) | แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด (V) | 200 | 250 | 350 | 400 | 450 | 500 | |||
| อัตราส่วนอิมพีแดนซ์ Z(-40℃)/Z(20℃) | 5 | 5 | 7 | 7 | 7 | 8 | ||||
| ความทนทาน | ในเตาอบที่อุณหภูมิ 130℃ ให้ใช้แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดพร้อมกระแสไฟฟ้าระลอกที่กำหนดเป็นเวลาที่กำหนด จากนั้นวางไว้ที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลา 16 ชั่วโมงแล้วทดสอบ อุณหภูมิในการทดสอบคือ 25±2℃ ประสิทธิภาพของตัวเก็บประจุควรเป็นไปตามข้อกำหนดต่อไปนี้ | |||||||||
| อัตราการเปลี่ยนแปลงความจุ | กำลังไฟฟ้า 200~450 วัตต์ | ภายใน ±20% ของค่าเริ่มต้น | ||||||||
| ค่าแทนเจนต์มุมสูญเสีย | กำลังไฟฟ้า 200~450 วัตต์ | ต่ำกว่า 200% ของค่าที่กำหนด | ||||||||
| กระแสไฟรั่ว | ต่ำกว่าค่าที่กำหนด | |||||||||
| โหลดชีวิต | กำลังไฟฟ้า 200-450 วัตต์ | |||||||||
| ขนาด | โหลดชีวิต | |||||||||
| DΦ≥8 | 130℃ 2000 ชั่วโมง | |||||||||
| 105℃ 10,000 ชั่วโมง | ||||||||||
| การเก็บรักษาที่อุณหภูมิสูง | เก็บไว้ที่อุณหภูมิ 105℃ เป็นเวลา 1,000 ชั่วโมง วางไว้ที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลา 16 ชั่วโมง และทดสอบที่อุณหภูมิ 25±2℃ ประสิทธิภาพของตัวเก็บประจุควรเป็นไปตามข้อกำหนดต่อไปนี้ | |||||||||
| อัตราการเปลี่ยนแปลงความจุ | ภายใน ±20% ของค่าเริ่มต้น | |||||||||
| ค่าแทนเจนต์การสูญเสีย | ต่ำกว่า 200% ของค่าที่กำหนด | |||||||||
| กระแสไฟรั่ว | ต่ำกว่า 200% ของค่าที่กำหนด | |||||||||
ขนาด (หน่วย : มม.)
| ล=9 | เอ=1.0 |
| ล≤16 | ก=1.5 |
| ล＞16 | ก=2.0 |
| D | 5 | 6.3 | 8 | 10 | 12.5 | 14.5 |
| d | 0.5 | 0.5 | 0.6 | 0.6 | 0.7 | 0.8 |
| F | 2 | 2.5 | 3.5 | 5 | 7 | 7.5 |
ค่าสัมประสิทธิ์การชดเชยกระแสริปเปิล
①ปัจจัยการแก้ไขความถี่
| ความถี่ (เฮิรตซ์) | 50 | 120 | 1K | 10K~50K | 100K |
| ปัจจัยการแก้ไข | 0.4 | 0.5 | 0.8 | 0.9 | 1 |
②ค่าสัมประสิทธิ์การแก้ไขอุณหภูมิ
| อุณหภูมิ (℃) | 50℃ | 70℃ | 85℃ | 105℃ |
| ปัจจัยการแก้ไข | 2.1 | 1.8 | 1.4 | 1 |
รายการสินค้ามาตรฐาน
| ชุด | โวลต์(V) | ความจุ (μF) | ขนาด D×L(มม.) | อิมพีแดนซ์ (Ωmax/10×25×2℃) | กระแสระลอกคลื่น (มิลลิแอมป์ rms/105×100KHz) |
| นำ | 400 | 2.2 | 8×9 | 23 | 144 |
| นำ | 400 | 3.3 | 8×11.5 | 27 | 126 |
| นำ | 400 | 4.7 | 8×11.5 | 27 | 135 |
| นำ | 400 | 6.8 | 8×16 | 10.50 | 270 |
| นำ | 400 | 8.2 | 10×14 | 7.5 | 315 |
| นำ | 400 | 10 | 10×12.5 | 13.5 | 180 |
| นำ | 400 | 10 | 8×16 | 13.5 | 175 |
| นำ | 400 | 12 | 10×20 | 6.2 | 490 |
| นำ | 400 | 15 | 10×16 | 9.5 | 280 |
| นำ | 400 | 15 | 8×20 | 9.5 | 270 |
| นำ | 400 | 18 | 12.5×16 | 6.2 | 550 |
| นำ | 400 | 22 | 10×20 | 8.15 | 340 |
| นำ | 400 | 27 | 12.5×20 | 6.2 | 1,000 |
| นำ | 400 | 33 | 12.5×20 | 8.15 | 500 |
| นำ | 400 | 33 | 10×25 | 6 | 600 |
| นำ | 400 | 39 | 12.5×25 | 4 | 1060 |
| นำ | 400 | 47 | 14.5×25 | 4.14 | 690 |
| นำ | 400 | 68 | 14.5×25 | 3.45 | 1035 |
ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวเป็นตัวเก็บประจุชนิดหนึ่งที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ โครงสร้างของตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดนี้ประกอบด้วยเปลือกอลูมิเนียม อิเล็กโทรด อิเล็กโทรไลต์เหลว ขั้วไฟฟ้า และส่วนประกอบในการปิดผนึกเป็นหลัก เมื่อเปรียบเทียบกับตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดอื่น ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวจะมีลักษณะเฉพาะ เช่น ความจุสูง ลักษณะความถี่ที่ยอดเยี่ยม และความต้านทานอนุกรมเทียบเท่า (ESR) ต่ำ
โครงสร้างพื้นฐานและหลักการทำงาน
ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวประกอบด้วยขั้วบวก ขั้วลบ และสารไดอิเล็กตริกเป็นส่วนใหญ่ ขั้วบวกมักทำจากอลูมิเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งผ่านการชุบอโนไดซ์เพื่อสร้างฟิล์มอะลูมิเนียมออกไซด์ชั้นบางๆ ฟิล์มนี้ทำหน้าที่เป็นสารไดอิเล็กตริกของตัวเก็บประจุ ขั้วลบมักทำจากแผ่นอลูมิเนียมฟอยล์และอิเล็กโทรไลต์ โดยอิเล็กโทรไลต์ทำหน้าที่เป็นทั้งวัสดุของขั้วลบและตัวกลางสำหรับการสร้างอิเล็กตริกใหม่ การมีอิเล็กโทรไลต์ช่วยให้ตัวเก็บประจุรักษาประสิทธิภาพที่ดีได้แม้จะอยู่ที่อุณหภูมิสูง
การออกแบบแบบตะกั่วแสดงให้เห็นว่าตัวเก็บประจุนี้เชื่อมต่อกับวงจรผ่านตะกั่ว ตะกั่วเหล่านี้มักทำจากลวดทองแดงชุบดีบุก ซึ่งช่วยให้เชื่อมต่อไฟฟ้าได้ดีระหว่างการบัดกรี
ข้อดีหลัก
1. **ความจุสูง**: ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวมีความจุสูง ทำให้มีประสิทธิภาพสูงในการกรอง การเชื่อมต่อ และการจัดเก็บพลังงาน สามารถให้ความจุขนาดใหญ่ในปริมาณน้อย ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่มีพื้นที่จำกัด
2. **ความต้านทานอนุกรมสมมูลต่ำ (ESR)**: การใช้สารอิเล็กโทรไลต์เหลวส่งผลให้ ESR ต่ำ ลดการสูญเสียพลังงานและการเกิดความร้อน จึงช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพและเสถียรภาพของตัวเก็บประจุ คุณสมบัตินี้ทำให้ตัวเก็บประจุเหล่านี้เป็นที่นิยมในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งความถี่สูง อุปกรณ์เสียง และการใช้งานอื่นๆ ที่ต้องการประสิทธิภาพความถี่สูง
3. **คุณสมบัติความถี่ที่ยอดเยี่ยม**: ตัวเก็บประจุเหล่านี้มีประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมที่ความถี่สูง โดยสามารถป้องกันสัญญาณรบกวนความถี่สูงได้อย่างมีประสิทธิภาพ จึงมักใช้ในวงจรที่ต้องการเสถียรภาพความถี่สูงและสัญญาณรบกวนต่ำ เช่น วงจรไฟฟ้าและอุปกรณ์สื่อสาร
4. **อายุการใช้งานยาวนาน**: การใช้สารอิเล็กโทรไลต์คุณภาพสูงและกระบวนการผลิตขั้นสูงทำให้ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวมีอายุการใช้งานยาวนานขึ้น โดยภายใต้สภาวะการทำงานปกติ อายุการใช้งานอาจยาวนานถึงหลายพันถึงหลายหมื่นชั่วโมง ตอบสนองความต้องการของการใช้งานส่วนใหญ่
พื้นที่การใช้งาน
ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ โดยเฉพาะในวงจรไฟฟ้า อุปกรณ์เสียง อุปกรณ์สื่อสาร และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ โดยทั่วไปแล้วตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดนี้ใช้ในวงจรกรอง วงจรเชื่อมต่อ วงจรแยก และวงจรกักเก็บพลังงานเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์
โดยสรุป ตัวเก็บประจุไฟฟ้าชนิดตะกั่วเหลวได้กลายมาเป็นส่วนประกอบที่ขาดไม่ได้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากมีค่าความจุสูง ค่า ESR ต่ำ มีลักษณะความถี่ที่ยอดเยี่ยม และอายุการใช้งานยาวนาน ด้วยความก้าวหน้าทางเทคโนโลยี ประสิทธิภาพและขอบเขตการใช้งานของตัวเก็บประจุเหล่านี้จะยังคงขยายตัวต่อไป
