-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลชนิดตะกั่ว KCX
ไฟฟ้าแรงสูงขนาดเล็กพิเศษ
ผลิตภัณฑ์พิเศษสำหรับแหล่งชาร์จโดยตรงและชาร์จเร็ว
2000~3000 ชั่วโมงต่ำกว่า 105องศาเซลเซียสสิ่งแวดล้อม
ป้องกันฟ้าผ่ากระแสรั่วไหลต่ำ (การใช้พลังงานสแตนด์บายต่ำ)
กระแสกระเพื่อมสูง ความถี่สูง ความต้านทานต่ำ
สอดคล้องกับข้อกำหนด RoHS Directive
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลตะกั่ว LK7
ผลิตภัณฑ์ขนาดเล็กพิเศษสูง 7 มม
ทุ่มเทให้กับอุปกรณ์จ่ายไฟระดับไฮเอนด์
5,000~6,000 ชั่วโมงในสภาพแวดล้อม 105°C
สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดใหญ่ CN6
ขนาดเล็ก อุณหภูมิต่ำพิเศษ 85°C 6000 ชั่วโมง เหมาะสำหรับอินเวอร์เตอร์และไดรฟ์อุตสาหกรรม คำสั่ง RoHS
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลลีดขนาดเล็ก LMM
3,000~8,000 ชั่วโมงใน 105°C
สภาพแวดล้อมสำหรับพลังงานระดับสูง
จัดหาผลิตภัณฑ์ขนาดเล็กแบบแบน
สอดคล้องกับข้อกำหนด RoHS AEC-Q200
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลตะกั่ว L3M
ผลิตภัณฑ์ที่มีความต้านทานต่ำ บาง และมีความจุสูง
2,000~5,000 ชั่วโมง ภายใต้สภาพแวดล้อม 105°C
สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปจิ๋ว VKL(R)
135 ℃ 2,000 ชั่วโมง
อุณหภูมิสูง, ESR ต่ำ, ชนิด SMD ความน่าเชื่อถือสูง
มีจำหน่ายสำหรับการติดตั้งพื้นผิวที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
การเชื่อม Reflow ที่อุณหภูมิสูง
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ผ่านการรับรอง AEC-Q200
-
Chip Miniature ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VKL
125 ℃ 2,000 ~ 5,000 ชั่วโมง
ขนาดเล็ก ความถี่สูง และกระแสกระเพื่อมสูง
มีให้สำหรับการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
ผลิตภัณฑ์บัดกรี Reflow อุณหภูมิสูง
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ผ่านการรับรอง AEC-Q200
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปขนาดเล็ก VKG
♦ 105 ℃ 8,000 ~ 12,000 ชั่วโมง
♦ ขนาดเล็ก ความถี่สูงและกระแสกระเพื่อมสูง
♦ มีให้สำหรับการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
♦ ผลิตภัณฑ์บัดกรีแบบรีโฟลว์อุณหภูมิสูง
♦ ได้มาตรฐาน RoHS
♦ ผ่านการรับรอง AEC-Q200
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปขนาดเล็ก VKM
105 ℃ 7,000 ^ 10,000 ชั่วโมง
ขนาดเล็ก ความถี่สูง และกระแสกระเพื่อมสูง
มีให้สำหรับการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
ผลิตภัณฑ์บัดกรี Reflow อุณหภูมิสูง
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ผ่านการรับรอง AEC-Q200
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบชิปขนาดเล็ก VKO
105 ℃ 6,000 ~ 8,000 ชั่วโมง
ขนาดเล็ก ความถี่สูง และกระแสกระเพื่อมสูง
มีให้สำหรับการติดตั้งแบบอัตโนมัติเต็มรูปแบบที่มีความหนาแน่นสูง
ผลิตภัณฑ์บัดกรี Reflow อุณหภูมิสูง
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเหลวชนิด SMD VK7
แหล่งจ่ายไฟระดับไฮเอนด์ขนาดเล็กพิเศษสูง 7 มม. โดยเฉพาะ
40006000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence
เหมาะสำหรับการบัดกรีแบบรีโฟลว์ที่อุณหภูมิสูงแบบติดพื้นผิวอัตโนมัติที่มีความหนาแน่นสูง
-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดของเหลวขนาดเล็ก VMM
105 ℃ 3,000 ~ 8,000 ชั่วโมง
ความสูง 5 มม. ชนิดแบนพิเศษ
มีจำหน่ายสำหรับการติดตั้งพื้นผิวที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
การเชื่อม Reflow ที่อุณหภูมิสูง
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ผ่านการรับรอง AEC-Q200