-
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดตะกั่วชนิด NPU
ความน่าเชื่อถือสูง, ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง
125°C รับประกัน 4000 ชั่วโมง
สอดคล้องกับคำสั่ง RoHS แล้ว
ผลิตภัณฑ์ที่ทนต่ออุณหภูมิสูง -
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคไฮบริดชนิดตะกั่ว NHM
ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง
125°C รับประกัน 4000 ชั่วโมง
สอดคล้องกับ AEC-Q200
สอดคล้องกับคำสั่ง RoHS แล้ว -
ตัวเก็บประจุไฟฟ้าอลูมิเนียมไฮบริดชนิดตะกั่ว NHT
♦ ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง
♦ รับประกัน 4000 ชั่วโมงที่ 125 ℃
♦สอดคล้องกับ AEC-Q200
♦สอดคล้องกับข้อกำหนด RoHS -
ตัวเก็บประจุไฟฟ้าอลูมิเนียมไฮบริดชนิดตะกั่ว NGY
♦ ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง
♦ รับประกัน 10,000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
♦ สอดคล้องกับ AEC-Q200
♦ ปฏิบัติตามข้อกำหนด RoHS -
ชิปไฮบริดตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VHT
♦ ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง
♦ รับประกัน 4000 ชั่วโมงที่ 125 ℃
♦ สามารถตอบสนองความต้องการต้านทานการสั่นสะเทือน
♦ การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบไร้สารตะกั่วที่อุณหภูมิสูงแบบยึดพื้นผิว
♦ สอดคล้องกับ AEC-Q200 และตอบสนองต่อคำสั่ง RoHS -
ชิปไฮบริดตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VHU
♦ สินค้าทนอุณหภูมิสูง 135°C รับประกัน 4000 ชั่วโมงที่ 135°C
♦ ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง และอายุการใช้งานยาวนาน
♦ สามารถตอบสนองความต้องการของความต้านทานการสั่นสะเทือน Surface mount type สูง
การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบไร้สารตะกั่วที่อุณหภูมิ
♦ ผลิตภัณฑ์นี้สอดคล้องกับ AEC-Q200 และตอบสนองต่อคำสั่ง RoHS -
ชิปไฮบริดตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VHR
♦ ESR ต่ำ ขนาดเล็ก กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง และความน่าเชื่อถือสูง
♦ รับประกัน 2,000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
♦ สามารถตอบสนองความต้องการต้านทานการสั่นสะเทือน
♦ การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบไร้สารตะกั่วที่อุณหภูมิสูงแบบยึดพื้นผิว
♦ ผลิตภัณฑ์นี้สอดคล้องกับ AEC-Q200 และตอบสนองต่อคำสั่ง RoHS -
ชิปไฮบริดตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VHM
♦ ผลิตภัณฑ์อัปเกรดขนาดจิ๋วและความจุขนาดใหญ่ของซีรีส์ VHT
♦ ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง
♦ รับประกัน 4000 ชั่วโมงที่ 125 ℃
♦ สามารถตอบสนองความต้องการของความต้านทานการสั่นสะเทือน Surface mount type สูง
การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบไร้สารตะกั่วที่อุณหภูมิ
♦ สอดคล้องกับ AEC-Q200 และตอบสนองต่อคำสั่ง RoHS -
ชิปไฮบริดตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VGY
♦ ESR ต่ำ, กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง, ความน่าเชื่อถือสูง
♦ รับประกัน 10,000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
♦สามารถตอบสนองความต้องการด้านความต้านทานการสั่นสะเทือน
♦ผลิตภัณฑ์บัดกรีแบบรีโฟลว์แบบไร้สารตะกั่วที่อุณหภูมิสูงชนิดยึดพื้นผิว
♦สอดคล้องกับ AEC-Q200 และตอบสนองต่อคำสั่ง RoHS -
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าอะลูมิเนียมชนิดตะกั่ว NPG
♦ ความจุขนาดใหญ่ ความน่าเชื่อถือสูง ESR ต่ำ อนุญาตสูง
กระแสระลอกคลื่น
♦ รับประกัน 2,000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
♦ ปฏิบัติตามข้อกำหนด RoHS
♦ ผลิตภัณฑ์ที่มีความจุขนาดใหญ่และย่อส่วน -
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดตะกั่วชนิด NPL
ความน่าเชื่อถือสูง ESR ต่ำ กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง
♦ รับประกัน 5,000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
♦ ปฏิบัติตามข้อกำหนด RoHS
♦ ผลิตภัณฑ์มีอายุการใช้งานยาวนาน -
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดตะกั่วชนิด NPT
ความน่าเชื่อถือสูง ESR ต่ำ กระแสกระเพื่อมที่อนุญาตสูง
♦ รับประกัน 2,000 ชั่วโมงที่ 125 ℃
♦ ปฏิบัติตามข้อกำหนด RoHS
♦ ผลิตภัณฑ์ทนต่ออุณหภูมิสูง